Memórias DRAM Assíncronas e Memórias DRAM Síncronas

DRAM Assíncronas

Mode Page DRAM: é necessário indicação para cada dado a linha RAS e a coluna CAS onde a informação fica armazenada.

Fast Mode Page DRAM: os dados podem ser acessados a partir da mesma linha, isto é, desta forma, necessariamene será passado muita menos informação de leitura e escrita aos bits da memória, melhorando consideravelmente o desempenho possuindo um buffer no próprio pente.

EDO-RAM: envia o novo endereço da coluna, antes que o anterior já  houvesse realmente lido,  gerando uma sobreposição nos dados, tornando os ciclos menores  e tendo um ganho em velocidade.

BEDO-RAM: dividida em etapas as operações de leitura e escrita, sendo que cada etapa era iniciada antes do término da etapa antecessora, ganhando um significativo ganho na questão de desempenho, mas tiveram vida curta devido ao lançamento das DRAM síncronas.

DRAM Síncronas

SDRAM cria um fluxo contínuo de dados e endereços entre processador e memória, com dois bancos, cada um com duas linhas na memória que possam serem utilizadas simultameamente.

DDR-SDRAM trabalham sincronizadas também, mas ao invés de enviar apenas um lote de dados por ciclo de transmissão, estas memórias enviam dois lotes de dados, duplicando a performance da memória. DDR é a abreviação de “Double Data Rate” que significa justamente “taxa de transmissão duplicada”.

A RAMBUS utiliza um barramento mais estreito, aumentando e adequando o tempo de transmissão de dados entre o processador e a memória e o tempo de latência dos chips de memória, resultando num excelente desempenho, sua velocidade pode chegar ao 400MHz.

Mais informações:

http://www.baixaki.com.br/info/2181-Qual-a-diferenca-entre-memoria-RAM-estatica-e-dinamica-.htm